2023年8月29-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會PCIM Asia 2023在上海新國際博覽中心舉行。全球各地的電力電子及驅動技術廠商齊聚，探索行業(yè)最新趨勢和創(chuàng)新發(fā)展。
士蘭微電子攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等適用于光伏儲能、新能源汽車多領域產品參加了本次盛會。
1. 高壓大功率模塊 || 適用于光伏儲能等
士蘭光伏儲能模塊產品，涵蓋了工商業(yè)、組串電站、儲能、集中式電站等領域，尤其在逆變器產品方面表現(xiàn)優(yōu)異。傳導損耗和開關損耗更低，更容易實現(xiàn)高頻開關；帶銅底板，有更好的散熱能力。
使用場合：組串電站MPPT升壓，面板單路電流60A。
電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關損耗小。
封裝特性：采用士蘭D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
2. 高壓大功率模塊 || 適用于新能源汽車等
士蘭車規(guī)級模塊用于混動和純電汽車領域，功率范圍覆蓋30-200kW，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級，在嚴苛環(huán)境條件下具有更高的可靠性。
使用場合：混動和純電動汽車主驅。
電氣特性：采用士蘭高密度溝槽工藝IGBT芯片和自研FRD的六單元拓撲模塊。
封裝特性：采用士蘭B3封裝，采用絕緣DBC，pinfin銅基板散熱。
3. 高功率SiC器件 || 適用于光伏、汽車等
士蘭微電子針對光伏、汽車等應用的高功率SiC產品系列具有更高的參數(shù)一致性，更低的失效不良率，從而滿足高端客戶需求。
SCDP120R013N2P48
SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封裝的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于士蘭第二代平面工藝，提供了業(yè)界最低的開關損耗和最高的品質因素。適用于電動汽車的快速充電器和高壓DC/DC轉換器等場景。
SGTP140V120FDB7PW4
采用TO247P-4L封裝的1200V、140A的IGBT基于士蘭FS5+系列工藝，高功率密度的工藝使其額定電流達到140A，具有低導通損耗和開關損耗的特點。主要滿足綠色低碳場景，如太陽能光伏，不間斷電源等。
4. 高能效IGBT器件 || 適用于白電、小家電等
士蘭微電子致力于利用成熟的專業(yè)應用技術以及半導體產品系列，克服在最先進的系統(tǒng)中遇到的挑戰(zhàn)，使洗衣機、冰箱和空調等高能耗設備成為過去。
SGTP50V60FD2PU
采用TO247-3L封裝的600V、50A的IGBT基于士蘭FS5+系列工藝，在開關和導通損耗之間實現(xiàn)完美平衡，顯著改善了器件的動態(tài)與靜態(tài)性能，同時具有優(yōu)秀的抗電磁干擾能力。在家電領域廣泛應用。
士蘭微電子利用自身在高壓智能功率模塊技術、第三代功率半導體器件技術、綠色電源芯片技術等多個芯片設計領域的積累，以及不斷強化的工藝平臺開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產能力、先進化合物半導體生產能力，為光伏、新能源客戶提供優(yōu)質的芯片產品系列和系統(tǒng)性的應用解決方案，助力產業(yè)的蓬勃發(fā)展。
